對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的。高純氧化鈧粉末鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氧化鈧MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導(dǎo)體工業(yè)，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫(yī)藥工業(yè)。氧化鈧鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經(jīng)肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。牡丹江氧化鈧動物實(shí)驗(yàn)給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產(chǎn)生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當(dāng)給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發(fā)現(xiàn)肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經(jīng)過調(diào)查半導(dǎo)體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業(yè)中毒。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氧化鈧我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。牡丹江氧化鈧粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。氧化鈧特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鈧粉末這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或?qū)⑻妓徙熿褵蒊n2O、InO、In2O3，精細(xì)控制還原條件可制得高純In2O3。高純氧化鈧粉末也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因?yàn)镮n2O3容易被還原，所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。氧化鈧將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點(diǎn)低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氧化鈧鉍廣泛應(yīng)用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領(lǐng)域。高純氧化鈧從消費(fèi)結(jié)構(gòu)來看，各國鉍的消費(fèi)結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國鉍的消費(fèi)主要用于冶金添加劑、低熔點(diǎn)合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國的消費(fèi)主要以電子行業(yè)為主；中國鉍消費(fèi)仍舊是以傳統(tǒng)領(lǐng)域?yàn)橹鳌?/p>