極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。氟化銦將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時(shí)可得InCl3·4H2O，為無(wú)色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無(wú)水的InCl3。無(wú)水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來(lái)。高純氟化銦廠家三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長(zhǎng)促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無(wú)毒的。

鎵可用于醫(yī)療診斷，例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來(lái)診斷肺癌和肝癌等。氟化銦鎵的合金還可以應(yīng)用到醫(yī)療器件和醫(yī)用材料中，例如使用鎵合金作為牙齒填充材料，使用“銦鎵合金”制作體溫計(jì)等。鎵可用于醫(yī)療診斷，例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來(lái)診斷肺癌和肝癌等。氟化銦廠家鎵的合金還可以應(yīng)用到醫(yī)療器件和醫(yī)用材料中，例如使用鎵合金作為牙齒填充材料，使用“銦鎵合金”制作體溫計(jì)等。

氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氟化銦而氧化銦顆粒尺寸達(dá)納米級(jí)別時(shí)除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。高純氟化銦分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應(yīng)用于生產(chǎn)液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規(guī)格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g。化學(xué)成分：（Q指企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）

用途：用于制鍺，也用于電子工業(yè)。用作半導(dǎo)體材料。氟化銦用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂時(shí)的催化劑以及光譜分析和半導(dǎo)體材料。可以制造光學(xué)玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時(shí)轉(zhuǎn)化、去氫、汽油餾份的調(diào)整、彩色膠卷及聚脂纖維生產(chǎn)。氟化銦廠家不但如此，二氧化鍺還是聚合反應(yīng)的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機(jī)和顯微鏡鏡頭，隨著技術(shù)的發(fā)展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫(yī)藥工業(yè)，PET樹(shù)脂、電子器件等。

金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年，法國(guó)的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵，鎵的發(fā)現(xiàn)不僅是一個(gè)化學(xué)元素的發(fā)現(xiàn)，它的發(fā)現(xiàn)引起了科學(xué)家們對(duì)門(mén)捷列夫擬定的元素周期系的注重，使化學(xué)元素周期系得到贊揚(yáng)和供認(rèn)。氟化銦我國(guó)金屬鎵的消費(fèi)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和光電材料、太陽(yáng)能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性材料等，其中半導(dǎo)體行業(yè)已成為鎵最大的消費(fèi)領(lǐng)域，約占總消費(fèi)量的80%。石家莊高純氟化銦廠家隨著鎵下游應(yīng)用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導(dǎo)體行業(yè)和太陽(yáng)能電池行業(yè)，未來(lái)金屬鎵需求也將穩(wěn)步增長(zhǎng)。

對(duì)于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。氟化銦厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。石家莊氟化銦晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率