氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氫氧化銦由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。求購氫氧化銦廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

目前，我國金屬鎵的消費領域包含半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫療器械、磁性資料等，其中半導體行業已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。氫氧化銦隨著鎵下游應用行業的快速發展，尤其是半導體和太陽能電池領域，未來對金屬鎵的需求也將穩步增長。鎵的用途用來制作光學玻璃、真空管、半導體的原料。裝入石英溫度計可測量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應用在裝飾和鑲牙方面。氫氧化銦廠家也用來作有機合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點29.78℃。沸點2403℃?；蟽r2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。

用途：用于制鍺，也用于電子工業。用作半導體材料。氫氧化銦用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對苯二甲酸乙二酯樹脂時的催化劑以及光譜分析和半導體材料。可以制造光學玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時轉化、去氫、汽油餾份的調整、彩色膠卷及聚脂纖維生產。氫氧化銦廠家不但如此，二氧化鍺還是聚合反應的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機和顯微鏡鏡頭，隨著技術的發展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫藥工業，PET樹脂、電子器件等。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。氫氧化銦氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。求購氫氧化銦廠家其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。