薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。哪里有鍺粉價格真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。鍺粉但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。鍺粉特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。鍺粉價格這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。鍺粉濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。齊齊哈爾鍺粉濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領域的應用優勢愈加明顯。鍺粉但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。鍺粉價格氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統可用的功率和電壓范圍方面發揮作用。而最有希望的應用可能是電力調節和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。但是，在成為電力電子產品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發和推進工作，以克服自身的不足。