氫氧化銦屬于銦的延伸產品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。浙江氧化鉍用途：廣泛應用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。氧化鉍隨著電池無汞化的進程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業的發展趨勢。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氧化鉍六方結晶與β-石英同構，鍺為四配位，四方結晶具有超石英型結構，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉變為六配位結構;隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變為四配位的結構。類金紅石型結構的二氧化鍺在高壓下可轉變為另一種正交晶系氯化鈣型結構。哪里有氧化鉍二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結構的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氧化鉍同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。浙江氧化鉍β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

鋁合金中添加微量鈧可以大幅提升鋁合金的強度、塑韌性、耐高溫性能、耐腐蝕性能、焊接性能和抗中子輻照損傷性能。浙江氧化鉍已作為結構材料用于航天、航空、核反應堆等領域，在艦船、高鐵列車、輕型汽車等領域也有著廣泛的應用前景。氧化鉍國外其他一些國家已在大型民用飛機的承重部件用鋁鈧合金材料代替其他材料，以提高飛機的綜合性能。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。氧化鉍濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。浙江氧化鉍濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。