極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。醋酸銦將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時(shí)可得InCl3·4H2O，為無色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來。哪里有醋酸銦粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無毒的。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。醋酸銦同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。牡丹江醋酸銦β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構(gòu)成為Gd3Sc2Ga3O12型式。醋酸銦由它做成的第三代激光器所發(fā)出的發(fā)射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達(dá)到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進(jìn)了激光器的使用性能。在制備單晶時(shí)，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。醋酸銦粉末目前這種激光器在軍工技術(shù)上的應(yīng)用日益廣泛，也逐步推向民用工業(yè)。從發(fā)展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

銦是一種很軟的、帶藍(lán)色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。醋酸銦銦比鉛還軟，即使在液態(tài)氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時(shí)候附著到其他金屬上去。醋酸銦粉末銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害，但應(yīng)避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價(jià)的化合物，其中主要為+3價(jià)的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導(dǎo)電漿，補(bǔ)牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動(dòng)機(jī)的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。

幾年來，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。醋酸銦這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。牡丹江哪里有醋酸銦粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯(cuò)位。

氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。醋酸銦但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。醋酸銦粉末氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動(dòng)汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。