在原子能工業中，鎵可以作為熱傳導物質，將反應堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數目和反應速度的效果。氫氧化銦碘化鎵應用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。承德氫氧化銦鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。氫氧化銦由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質，故在20世紀80年代以來，在許多高新技術和工業部門中獲得了較好的應用發展。求購氫氧化銦粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氫氧化銦六方結晶與β-石英同構，鍺為四配位，四方結晶具有超石英型結構，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉變為六配位結構;隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變為四配位的結構。類金紅石型結構的二氧化鍺在高壓下可轉變為另一種正交晶系氯化鈣型結構。求購氫氧化銦二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結構的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。氫氧化銦我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。承德氫氧化銦粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。