SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。鍺粉我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。上海鍺粉粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。鍺粉由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質，故在20世紀80年代以來，在許多高新技術和工業(yè)部門中獲得了較好的應用發(fā)展。求購鍺粉粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。鍺粉同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。上海鍺粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。鍺粉由它做成的第三代激光器所發(fā)出的發(fā)射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。鍺粉粉末目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業(yè)。從發(fā)展看，今后在軍用和民用的潛力較大。