氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發(fā)展超過重要作用。金屬鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩(wěn)定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。哈爾濱市金屬鎵鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領域的應用優(yōu)勢愈加明顯。金屬鎵但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。金屬鎵粉末氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應用可能是電力調節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進工作，以克服自身的不足。

氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產(chǎn)品之一。金屬鎵它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產(chǎn)中采用的生產(chǎn)方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產(chǎn)物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經(jīng)濟效果。金屬鎵粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發(fā)展前景十分廣闊。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。高純金屬鎵粉末真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。金屬鎵但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細解釋。