氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。氧化鍺鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。本溪氧化鍺鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鍺由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化鍺價格寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

鎵可用于醫療診斷，例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。氧化鍺鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中，例如使用鎵合金作為牙齒填充材料，使用“銦鎵合金”制作體溫計等。鎵可用于醫療診斷，例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。氧化鍺價格鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中，例如使用鎵合金作為牙齒填充材料，使用“銦鎵合金”制作體溫計等。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。氧化鍺而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。高純氧化鍺分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應用于生產液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g?；瘜W成分：（Q指企業標準）