氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。納米氧化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。長治納米氧化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

在原子能工業中，鎵可以作為熱傳導物質，將反應堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數目和反應速度的效果。納米氧化鎵碘化鎵應用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。長治納米氧化鎵鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。納米氧化鎵由它做成的第三代激光器所發出的發射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。納米氧化鎵粉末目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業。從發展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現象。納米氧化鎵一般金屬間構成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點很低，在30攝氏度就成為了液態，這種液態的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。納米氧化鎵粉末所以鎵不能裝在金屬容器中。