目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。硫酸鎵特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。硫酸鎵廠家這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產(chǎn)乙基苯、丙基苯和酮。硫酸鎵而來自美國和丹麥科研人員開發(fā)的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉(zhuǎn)化氫和二氧化碳為甲醇。硫酸鎵廠家為了提高石油開采的經(jīng)濟效益，包括中國在內(nèi)的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。硫酸鎵氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。求購硫酸鎵廠家其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構(gòu)成為Gd3Sc2Ga3O12型式。硫酸鎵由它做成的第三代激光器所發(fā)出的發(fā)射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。硫酸鎵廠家目前這種激光器在軍工技術(shù)上的應(yīng)用日益廣泛，也逐步推向民用工業(yè)。從發(fā)展看，今后在軍用和民用的潛力較大。