目前,我國(guó)金屬鎵的消費(fèi)領(lǐng)域包含半導(dǎo)體和光電材料、太陽(yáng)能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性資料等,其中半導(dǎo)體行業(yè)已成為鎵最大的消費(fèi)領(lǐng)域,約占總消費(fèi)量的80%。銦粉隨著鎵下游應(yīng)用行業(yè)的快速發(fā)展,尤其是半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,未來對(duì)金屬鎵的需求也將穩(wěn)步增長(zhǎng)。鎵的用途用來制作光學(xué)玻璃、真空管、半導(dǎo)體的原料。裝入石英溫度計(jì)可測(cè)量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應(yīng)用在裝飾和鑲牙方面。銦粉廠家也用來作有機(jī)合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。化合價(jià)2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點(diǎn)很低。
鋁合金中添加微量鈧可以大幅提升鋁合金的強(qiáng)度、塑韌性、耐高溫性能、耐腐蝕性能、焊接性能和抗中子輻照損傷性能。遼寧銦粉已作為結(jié)構(gòu)材料用于航天、航空、核反應(yīng)堆等領(lǐng)域,在艦船、高鐵列車、輕型汽車等領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用前景。銦粉國(guó)外其他一些國(guó)家已在大型民用飛機(jī)的承重部件用鋁鈧合金材料代替其他材料,以提高飛機(jī)的綜合性能。
二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。銦粉六方結(jié)晶與β-石英同構(gòu),鍺為四配位,四方結(jié)晶具有超石英型結(jié)構(gòu),類似于金紅石,其中鍺為六配位。高壓下,無定形二氧化鍺轉(zhuǎn)變?yōu)榱湮唤Y(jié)構(gòu);隨著壓力降低,二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y(jié)構(gòu)。類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺在高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結(jié)構(gòu)。高純銦粉二氧化鍺不溶于水和鹽酸,溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水,它與水作用時(shí)可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時(shí),可得到一氧化鍺。
SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。銦粉我們一直在致力于利用氧化鎵(Ga2O3)的功率半導(dǎo)體元件(以下簡(jiǎn)稱功率元件)的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開發(fā)的SiC和GaN相比,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。遼寧銦粉廠家其原因在于材料特性出色,比如帶隙比SiC及GaN大,而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長(zhǎng)法”。
對(duì)于蒸發(fā)鍍膜:一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來,并且沉降在基片表面,通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。銦粉厚度均勻性主要取決于:1、基片材料與靶材的晶格匹配程度;2、基片表面溫度;3、蒸發(fā)功率,速率;4、真空度;5、鍍膜時(shí)間,厚度大小。組分均勻性:蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證,具體可以調(diào)控的因素同上,但是由于原理所限,對(duì)于非單組分鍍膜,蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。遼寧銦粉晶向均勻性:1、晶格匹配度;2、基片溫度;3、蒸發(fā)速率
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