目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。氟化鋇特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氟化鋇價(jià)格這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對探索其特性的廣泛興趣。氟化鋇氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純氟化鋇價(jià)格其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應(yīng)增加，市場對后市供應(yīng)可能會(huì)再度過剩的恐慌情緒對價(jià)格產(chǎn)生影響，造成鎵的價(jià)格難以維持平穩(wěn)，鎵的進(jìn)行價(jià)格調(diào)整期。氟化鋇需要指出的是，目前鎵的價(jià)格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進(jìn)入虧本經(jīng)營，鎵市場降價(jià)趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預(yù)期，2017年的最后一個(gè)多月，鎵市場將會(huì)進(jìn)入煎熬的調(diào)整期。氟化鋇價(jià)格下周鎵的市場預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氟化鋇同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。鞍山氟化鋇β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。