銦是一種很軟的、帶藍色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。納米氧化鎵銦比鉛還軟，即使在液態(tài)氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。納米氧化鎵粉末銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害，但應(yīng)避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物，其中主要為+3價的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導(dǎo)電漿，補牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動機的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。納米氧化鎵濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。阿拉善盟納米氧化鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

純的Sc2O3可用作彩色電視顯象管陰極電子槍的氧化陰極激活劑,效果較好。納米氧化鎵在彩管陰極上端噴一層一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化層，上面再彌散一層0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化層陰極中因Mg、Sr與Ba發(fā)生反應(yīng)，促使Ba還原,釋出的電子更活躍，發(fā)出大電流電子，使熒光體發(fā)光，比不用Sc2O3涂層的陰極可提高電流密度4倍，使電視畫面更清晰，使陰極壽命提高3倍。納米氧化鎵粉末每臺21英寸顯像陰極用Sc2O3量為0.1mg。目前在世界上一些國家已用此陰極，如日本用的較多，可提高市場競爭力，促進電視機的銷量。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。納米氧化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。阿拉善盟納米氧化鎵粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標。納米氧化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。阿拉善盟納米氧化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。納米氧化鎵近年來大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。阿拉善盟高純納米氧化鎵粉末氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。