SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。氟化銦我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。遼寧氟化銦廠家其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導體工業，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫藥工業。氟化銦鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。遼寧氟化銦動物實驗給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發現肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經過調查半導體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業中毒。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。氟化銦鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。氟化銦廠家例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

金屬鈧比起釔和鑭系元素來，由于離子半徑特別小，氫氧化物的堿性也特別弱，因此，鈧和稀土元素混在一起時，用氨（或極稀的堿）處理，鈧將首先析出，故應用“分級沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來。氟化銦另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進行分離，由于硝酸鈧容易分解，從而達到分離的目的。氟化銦廠家用電解的方法可制得金屬鈧，在煉鈧時將ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的鋅為陰極電解之，使鈧在鋅極上析出，然后將鋅蒸去可得金屬鈧。