對于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。氟化鋇厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。長治氟化鋇晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率

氧化鈧的化學(xué)式為Sc2O3。性質(zhì)：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結(jié)構(gòu)。密度3.864.熔點(diǎn)2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。氟化鋇由鈧鹽熱分解制得。可用作半導(dǎo)體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產(chǎn)品具有獨(dú)特的物化性質(zhì)，故在20世紀(jì)80年代以來，在許多高新技術(shù)和工業(yè)部門中獲得了較好的應(yīng)用發(fā)展。高純氟化鋇粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領(lǐng)域的應(yīng)用狀況敘述于后。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氟化鋇我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。長治氟化鋇粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。

生產(chǎn)工藝技術(shù)及設(shè)備經(jīng)過多年來的研究和生產(chǎn)實(shí)踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術(shù)有下列幾種方法：①萃取法。氟化鋇生產(chǎn)中使用較多,其具有產(chǎn)量大、質(zhì)量好、回收率高、成本低及生產(chǎn)中可連續(xù)作業(yè)的特點(diǎn)。②離子交換法。生產(chǎn)中也常被采用。其具有產(chǎn)量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產(chǎn)周期長的特點(diǎn)。③萃淋樹脂色層法。其具有生產(chǎn)周期短，純度高，收率高和成本低的特點(diǎn)。④液膜萃取法。高純氟化鋇它是膜分離與液液萃取相結(jié)合的一種新型分離技術(shù)。