鎵也被應用到太陽能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉換率非常高。氟化鋇最初因為生產、使用成本都非常高，常常被應用在航天和軍工領域。但近幾年隨著科技的發展，金屬鎵太陽能電池的生產和使用成本都在降低，搭配上聚光光學組件從而使其應用領域開始擴大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽能電池是第三代太陽能電池，具有生產、安裝、使用成本低，光電轉換率高的優勢，因而在眾多太陽能電池產品中成為發展最快的一族。哪里有氟化鋇雖然世界上已投產或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產規模的擴大，該行業對金屬鎵的需求會有明顯增長。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氟化鋇同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。長治氟化鋇β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氟化鋇由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有氟化鋇粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。氟化鋇鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。氟化鋇粉末例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。