在原子能工業(yè)中，鎵可以作為熱傳導(dǎo)物質(zhì)，將反應(yīng)堆中的熱量傳導(dǎo)出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達(dá)到控制中子數(shù)目和反應(yīng)速度的效果。硫酸鎵碘化鎵應(yīng)用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強(qiáng)度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質(zhì)，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。包頭硫酸鎵鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

鎵是一種低熔點(diǎn)高沸點(diǎn)的稀散金屬，有“電子工業(yè)脊梁”的美譽(yù)。硫酸鎵鎵的化合物是優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體材料，被廣泛應(yīng)用到光電子工業(yè)和微波通信工業(yè)，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學(xué)與紅外探測器件、集成電路、發(fā)光二極管等。硫酸鎵廠家例如我們?cè)陔娔X上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發(fā)出的。目前，半導(dǎo)體行業(yè)金屬鎵消費(fèi)量約占總消費(fèi)量的80%—85%。

對(duì)于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。硫酸鎵濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。包頭硫酸鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。硫酸鎵同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。包頭硫酸鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

于從含鈧礦物中直接提取鈧制品較困難，因而目前主要從處理含鈧礦物的副產(chǎn)物如廢渣、廢水、煙塵、赤泥中回收和提取氧化鈧，再以高純氧化鈧制備金屬鈧、鈧鋁中間合金、鈧鹽等鈧產(chǎn)品。硫酸鎵據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2019-2023年中國鈧產(chǎn)品行業(yè)市場供需現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測報(bào)告 》。哪里有硫酸鎵廠家目前從工業(yè)廢液中直接提取鈧的工藝主要有三種：溶劑萃取法、化學(xué)沉淀法、離子交換法。

氫氧化銦屬于銦的延伸產(chǎn)品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時(shí)失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。包頭硫酸鎵用途：廣泛應(yīng)用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑、低汞和無汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。硫酸鎵隨著電池?zé)o汞化的進(jìn)程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。