于從含鈧礦物中直接提取鈧制品較困難，因而目前主要從處理含鈧礦物的副產物如廢渣、廢水、煙塵、赤泥中回收和提取氧化鈧，再以高純氧化鈧制備金屬鈧、鈧鋁中間合金、鈧鹽等鈧產品。鍺粉據新思界產業研究中心發布的《2019-2023年中國鈧產品行業市場供需現狀及發展趨勢預測報告 》。高純鍺粉廠家目前從工業廢液中直接提取鈧的工藝主要有三種：溶劑萃取法、化學沉淀法、離子交換法。

生產工藝技術及設備經過多年來的研究和生產實踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術有下列幾種方法：①萃取法。鍺粉生產中使用較多,其具有產量大、質量好、回收率高、成本低及生產中可連續作業的特點。②離子交換法。生產中也常被采用。其具有產量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產周期長的特點。③萃淋樹脂色層法。其具有生產周期短，純度高，收率高和成本低的特點。④液膜萃取法。高純鍺粉它是膜分離與液液萃取相結合的一種新型分離技術。

鈧是稀土元素的一種，是應用于諸多國防軍工及高科技領域的不可替代的戰略資源。鍺粉金屬鈧粉在新材料領域中的應用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應用領域。沈陽鍺粉隨后分析了制約鈧規模化應用的因素，并簡要介紹了當前鈧資源的生產開發狀況。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。鍺粉同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。沈陽鍺粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。鍺粉由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純鍺粉廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業作中支撐物、金屬涂層、電子工業及核工業的冷卻回路。鍺粉含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。高純鍺粉鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。