鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測(cè)控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。硫酸銦含25%銦的鎵合金為低熔點(diǎn)合金，在16℃時(shí)便熔化，可用于自動(dòng)滅火裝置中。高純硫酸銦鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)愈加明顯。硫酸銦但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。硫酸銦粉末氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動(dòng)汽車和光伏太陽(yáng)能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競(jìng)爭(zhēng)者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。

真空鍍膜過程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因?yàn)槎夹枰哒婵斩榷鴵碛薪y(tǒng)名稱。硫酸銦所以對(duì)于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì)隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。硫酸銦粉末化學(xué)組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現(xiàn)象。硫酸銦一般金屬間構(gòu)成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構(gòu)成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點(diǎn)很低，在30攝氏度就成為了液態(tài)，這種液態(tài)的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對(duì)其他金屬有溶解的效果，對(duì)其他金屬形成腐蝕。硫酸銦粉末所以鎵不能裝在金屬容器中。