生產工藝技術及設備經過多年來的研究和生產實踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術有下列幾種方法：①萃取法。氧化鎵生產中使用較多,其具有產量大、質量好、回收率高、成本低及生產中可連續作業的特點。②離子交換法。生產中也常被采用。其具有產量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產周期長的特點。③萃淋樹脂色層法。其具有生產周期短，純度高，收率高和成本低的特點。④液膜萃取法。哪里有氧化鎵它是膜分離與液液萃取相結合的一種新型分離技術。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強烈吸濕。氧化鎵將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結晶。56℃溶于自身的結晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應，三氯化銦以純品升華出來。哪里有氧化鎵粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應制得。二者不穩定，遇水分解。所以根據以上所述氧化銦是無毒的。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有氧化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氧化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。天津氧化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氧化鎵六方結晶與β-石英同構，鍺為四配位，四方結晶具有超石英型結構，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉變為六配位結構;隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變為四配位的結構。類金紅石型結構的二氧化鍺在高壓下可轉變為另一種正交晶系氯化鈣型結構。哪里有氧化鎵二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結構的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。