二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無(wú)定形體。金屬鈧粉六方結(jié)晶與β-石英同構(gòu),鍺為四配位,四方結(jié)晶具有超石英型結(jié)構(gòu),類似于金紅石,其中鍺為六配位。高壓下,無(wú)定形二氧化鍺轉(zhuǎn)變?yōu)榱湮唤Y(jié)構(gòu);隨著壓力降低,二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y(jié)構(gòu)。類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺在高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結(jié)構(gòu)。高純金屬鈧粉二氧化鍺不溶于水和鹽酸,溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水,它與水作用時(shí)可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時(shí),可得到一氧化鍺。
真空鍍膜過(guò)程非常復(fù)雜,由于鍍膜原理的不同分為很多種類,僅僅因?yàn)槎夹枰哒婵斩榷鴵碛薪y(tǒng)名稱。金屬鈧粉所以對(duì)于不同原理的真空鍍膜,影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì)隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。金屬鈧粉價(jià)格化學(xué)組分上的均勻性:就是說(shuō)在薄膜中,化合物的原子組分會(huì)由于尺度過(guò)小而很容易的產(chǎn)生不均勻性,SiTiO3薄膜,如果鍍膜過(guò)程不科學(xué),那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3,而可能是其他的比例,鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分,這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性:這決定了薄膜是單晶,多晶,非晶,是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問(wèn)題。
金屬鈧比起釔和鑭系元素來(lái),由于離子半徑特別小,氫氧化物的堿性也特別弱,因此,鈧和稀土元素混在一起時(shí),用氨(或極稀的堿)處理,鈧將首先析出,故應(yīng)用“分級(jí)沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來(lái)。金屬鈧粉另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進(jìn)行分離,由于硝酸鈧?cè)菀追纸猓瑥亩_(dá)到分離的目的。金屬鈧粉價(jià)格用電解的方法可制得金屬鈧,在煉鈧時(shí)將ScCl3、KCl、LiCl共熔,以熔融的鋅為陰極電解之,使鈧在鋅極上析出,然后將鋅蒸去可得金屬鈧。
氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度大于硅,氮化鎵和碳化硅,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)愈加明顯。金屬鈧粉但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN,后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。金屬鈧粉價(jià)格氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器,如電動(dòng)汽車和光伏太陽(yáng)能系統(tǒng)。但是,在成為電力電子產(chǎn)品的主要競(jìng)爭(zhēng)者之前,氧化鎵仍需要開(kāi)展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作,以克服自身的不足。
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