氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。氧化銦鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。嘉興氧化銦鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。氧化銦厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。嘉興氧化銦晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發速率

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氧化銦特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化銦廠家這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

鉍具有一系列的優良特性，如比重大、熔點低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氧化銦鉍廣泛應用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫藥等領域。高純氧化銦從消費結構來看，各國鉍的消費結構各有側重，美國鉍的消費主要用于冶金添加劑、低熔點合金、焊料、彈藥筒以及醫藥化工行業等；日本和韓國的消費主要以電子行業為主；中國鉍消費仍舊是以傳統領域為主。

使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應即可得到硫酸鎵的水溶液。氧化銦或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結晶。嘉興氧化銦反應中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發生溶解，應注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當加熱。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導體工業，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫藥工業。氧化銦鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。嘉興氧化銦動物實驗給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發現肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經過調查半導體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業中毒。