氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。硫酸鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。呼和浩特硫酸鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

生產工藝技術及設備經過多年來的研究和生產實踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術有下列幾種方法：①萃取法。硫酸鎵生產中使用較多,其具有產量大、質量好、回收率高、成本低及生產中可連續(xù)作業(yè)的特點。②離子交換法。生產中也常被采用。其具有產量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產周期長的特點。③萃淋樹脂色層法。其具有生產周期短，純度高，收率高和成本低的特點。④液膜萃取法。高純硫酸鎵它是膜分離與液液萃取相結合的一種新型分離技術。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。硫酸鎵氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純硫酸鎵廠家其也因此被業(yè)界看做是第三代半導體材料的代表。

氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。硫酸鎵由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質，故在20世紀80年代以來，在許多高新技術和工業(yè)部門中獲得了較好的應用發(fā)展。高純硫酸鎵廠家目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。

對于不同的濺射材料和基片，參數需要實驗確定，是各不相同的。高純硫酸鎵廠家鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。硫酸鎵MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。