目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。金屬鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。金屬鎵粉末這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年，法國的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵，鎵的發現不僅是一個化學元素的發現，它的發現引起了科學家們對門捷列夫擬定的元素周期系的注重，使化學元素周期系得到贊揚和供認。金屬鎵我國金屬鎵的消費領域包括半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫療器械、磁性材料等，其中半導體行業已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。晉城哪里有金屬鎵粉末隨著鎵下游應用行業的快速發展，尤其是半導體行業和太陽能電池行業，未來金屬鎵需求也將穩步增長。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。金屬鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。晉城金屬鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

對于不同的濺射材料和基片，參數需要實驗確定，是各不相同的。哪里有金屬鎵粉末鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。金屬鎵MBE分子束外沿鍍膜技術，已經比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業生產上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。