二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。金屬鎵六方結晶與β-石英同構，鍺為四配位，四方結晶具有超石英型結構，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉變為六配位結構;隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變為四配位的結構。類金紅石型結構的二氧化鍺在高壓下可轉變為另一種正交晶系氯化鈣型結構。高純金屬鎵二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結構的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構成為Gd3Sc2Ga3O12型式。金屬鎵由它做成的第三代激光器所發出的發射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。金屬鎵粉末目前這種激光器在軍工技術上的應用日益廣泛，也逐步推向民用工業。從發展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。金屬鎵這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。南通高純金屬鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應即可得到硫酸鎵的水溶液。金屬鎵或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結晶。南通金屬鎵反應中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發生溶解，應注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當加熱。