幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。納米氧化鎵這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。丹東哪里有納米氧化鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

鈧是稀土元素的一種，是應用于諸多國防軍工及高科技領域的不可替代的戰略資源。納米氧化鎵金屬鈧粉在新材料領域中的應用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應用領域。丹東納米氧化鎵隨后分析了制約鈧規模化應用的因素，并簡要介紹了當前鈧資源的生產開發狀況。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。納米氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有納米氧化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。哪里有納米氧化鎵粉末真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。納米氧化鎵但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據不同鍍膜給出詳細解釋。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。納米氧化鎵而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。哪里有納米氧化鎵分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應用于生產液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g。化學成分：（Q指企業標準）

鎵可用于醫療診斷，例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。納米氧化鎵鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中，例如使用鎵合金作為牙齒填充材料，使用“銦鎵合金”制作體溫計等。鎵可用于醫療診斷，例如使用枸櫞酸鎵(67Ga)來診斷肺癌和肝癌等。納米氧化鎵粉末鎵的合金還可以應用到醫療器件和醫用材料中，例如使用鎵合金作為牙齒填充材料，使用“銦鎵合金”制作體溫計等。