真空鍍膜過程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統名稱。金屬鎵所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。金屬鎵廠家化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題。

用途：用于制鍺，也用于電子工業。用作半導體材料。金屬鎵用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對苯二甲酸乙二酯樹脂時的催化劑以及光譜分析和半導體材料。可以制造光學玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時轉化、去氫、汽油餾份的調整、彩色膠卷及聚脂纖維生產。金屬鎵廠家不但如此，二氧化鍺還是聚合反應的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機和顯微鏡鏡頭，隨著技術的發展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫藥工業，PET樹脂、電子器件等。

金屬鈧比起釔和鑭系元素來，由于離子半徑特別小，氫氧化物的堿性也特別弱，因此，鈧和稀土元素混在一起時，用氨（或極稀的堿）處理，鈧將首先析出，故應用“分級沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來。金屬鎵另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進行分離，由于硝酸鈧容易分解，從而達到分離的目的。金屬鎵廠家用電解的方法可制得金屬鈧，在煉鈧時將ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的鋅為陰極電解之，使鈧在鋅極上析出，然后將鋅蒸去可得金屬鈧。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。金屬鎵氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。哪里有金屬鎵廠家其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產乙基苯、丙基苯和酮。金屬鎵而來自美國和丹麥科研人員開發的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉化氫和二氧化碳為甲醇。金屬鎵廠家為了提高石油開采的經濟效益，包括中國在內的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。