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氧化鎵
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唐山高純金屬鉍粉粉末

2021-09-27
唐山高純金屬鉍粉粉末

金屬鈧比起釔和鑭系元素來,由于離子半徑特別小,氫氧化物的堿性也特別弱,因此,鈧和稀土元素混在一起時(shí),用氨(或極稀的堿)處理,鈧將首先析出,故應(yīng)用“分級(jí)沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來。金屬鉍粉另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進(jìn)行分離,由于硝酸鈧?cè)菀追纸猓瑥亩_(dá)到分離的目的。金屬鉍粉粉末用電解的方法可制得金屬鈧,在煉鈧時(shí)將ScCl3、KCl、LiCl共熔,以熔融的鋅為陰極電解之,使鈧在鋅極上析出,然后將鋅蒸去可得金屬鈧。

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鋁合金中添加微量鈧可以大幅提升鋁合金的強(qiáng)度、塑韌性、耐高溫性能、耐腐蝕性能、焊接性能和抗中子輻照損傷性能。唐山金屬鉍粉已作為結(jié)構(gòu)材料用于航天、航空、核反應(yīng)堆等領(lǐng)域,在艦船、高鐵列車、輕型汽車等領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用前景。金屬鉍粉國外其他一些國家已在大型民用飛機(jī)的承重部件用鋁鈧合金材料代替其他材料,以提高飛機(jī)的綜合性能。

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氧化鎵(β-Ga2O3)作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度約為4.8 eV,理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm,電子遷移率為300 cm2/Vs,因此β-Ga2O3具有4倍于GaN,10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。金屬鉍粉同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底,使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展,全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。唐山金屬鉍粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下,導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失,因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

唐山高純金屬鉍粉粉末

鈧是稀土元素的一種,是應(yīng)用于諸多國防軍工及高科技領(lǐng)域的不可替代的戰(zhàn)略資源。金屬鉍粉金屬鈧粉在新材料領(lǐng)域中的應(yīng)用,包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用,并分析了它們的具體應(yīng)用領(lǐng)域。唐山金屬鉍粉隨后分析了制約鈧規(guī)模化應(yīng)用的因素,并簡要介紹了當(dāng)前鈧資源的生產(chǎn)開發(fā)狀況。

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對(duì)于濺射類鍍膜:可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來,并且終沉積在基片表面,經(jīng)歷成膜過程,終形成薄膜。金屬鉍粉濺射鍍膜又分為很多種,總體看,與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。唐山金屬鉍粉濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld,組分均勻性容易保持,而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射),晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例,因素主要有:靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。

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氫氧化銦屬于銦的延伸產(chǎn)品,為白色沉淀,加熱至低于150℃時(shí)失水,不溶于冷水、氨水,微溶于NaOH,在濃堿中生成M3[In(OH)6],溶于酸。制法:由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。唐山金屬鉍粉用途:廣泛應(yīng)用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑、低汞和無汞電池的添加劑,以及ITO靶材,如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。金屬鉍粉隨著電池?zé)o汞化的進(jìn)程,用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業(yè)的發(fā)展趨勢。

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