鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業(yè)脊梁”的美譽(yù)。金屬鎵鎵的化合物是優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體材料，被廣泛應(yīng)用到光電子工業(yè)和微波通信工業(yè)，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學(xué)與紅外探測器件、集成電路、發(fā)光二極管等。金屬鎵價格例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發(fā)出的。目前，半導(dǎo)體行業(yè)金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

真空鍍膜過程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統(tǒng)名稱。金屬鎵所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。金屬鎵價格化學(xué)組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點問題。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。高純金屬鎵價格真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學(xué)性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。金屬鎵但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。金屬鎵將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來。高純金屬鎵價格三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無毒的。

對于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。金屬鎵厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。延邊朝鮮族自治州金屬鎵晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率