氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。硫酸鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。求購(gòu)硫酸鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

鈧在合金中主要起著變質(zhì)和細(xì)化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈現(xiàn)了性能優(yōu)異的特色。硫酸鎵Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄羅斯已達(dá)到17種Al-Sc系列，我國(guó)也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無法代替，故從發(fā)展上看，其應(yīng)用發(fā)展及潛力是很大的，可望成為今后的應(yīng)用大戶。營(yíng)口硫酸鎵如俄羅斯已工業(yè)化生產(chǎn)，且用于輕型結(jié)構(gòu)件發(fā)展較快，我國(guó)也正在加快研制和應(yīng)用，特別是在宇航和航空方面前景最好。

氫氧化銦屬于銦的延伸產(chǎn)品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時(shí)失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。營(yíng)口硫酸鎵用途：廣泛應(yīng)用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑、低汞和無汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。硫酸鎵隨著電池?zé)o汞化的進(jìn)程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點(diǎn)低、凝固時(shí)體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。硫酸鎵鉍廣泛應(yīng)用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領(lǐng)域。求購(gòu)硫酸鎵從消費(fèi)結(jié)構(gòu)來看，各國(guó)鉍的消費(fèi)結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國(guó)鉍的消費(fèi)主要用于冶金添加劑、低熔點(diǎn)合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國(guó)的消費(fèi)主要以電子行業(yè)為主；中國(guó)鉍消費(fèi)仍舊是以傳統(tǒng)領(lǐng)域?yàn)橹鳌?/p>

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。硫酸鎵同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。營(yíng)口硫酸鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。