氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氧化鈧同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。遼陽氧化鈧β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產乙基苯、丙基苯和酮。氧化鈧而來自美國和丹麥科研人員開發(fā)的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉化氫和二氧化碳為甲醇。氧化鈧廠家為了提高石油開采的經(jīng)濟效益，包括中國在內的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統(tǒng)領域。氧化鈧近年來大量應用于光電行業(yè)等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。遼陽哪里有氧化鈧廠家氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置。

金屬鉍粉主要用于制造易熔合金，熔點范圍是47～262℃，最常用的是鉍同鉛、錫、銻、銦等金屬組成的合金，用于消防裝置、自動噴水器、鍋爐的安全塞，一旦發(fā)生火災時，一些水管的活塞會“自動”熔化，噴出水來。氧化鈧在消防和電氣工業(yè)上，用作自動滅火系統(tǒng)和電器保險絲、焊錫。鉍合金具有凝固時不收縮的特性，用于鑄造印刷鉛字和高精度鑄型。氧化鈧廠家碳酸氧鉍和硝酸氧鉍用于治療皮膚損傷和腸胃病。用于制低熔合金，在消防和電氣安全裝置上有特殊的重要性，在分析化學中用于檢測Mn。鉍可制低熔點合金，用于自動關閉器或活字合金中。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鈧這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。遼陽哪里有氧化鈧廠家到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導致了外延過程中的錯位。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化鈧由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有氧化鈧廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。