氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。硫酸鎵同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。遼寧硫酸鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們?cè)谖磥淼拇蠊β省⒏邷亍⒏邏簯?yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。硫酸鎵特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。硫酸鎵價(jià)格這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。硫酸鎵含25%銦的鎵合金為低熔點(diǎn)合金，在16℃時(shí)便熔化，可用于自動(dòng)滅火裝置中。高純硫酸鎵鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點(diǎn)低、凝固時(shí)體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。硫酸鎵鉍廣泛應(yīng)用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領(lǐng)域。高純硫酸鎵從消費(fèi)結(jié)構(gòu)來看，各國鉍的消費(fèi)結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國鉍的消費(fèi)主要用于冶金添加劑、低熔點(diǎn)合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國的消費(fèi)主要以電子行業(yè)為主；中國鉍消費(fèi)仍舊是以傳統(tǒng)領(lǐng)域?yàn)橹鳌?/p>

金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年，法國的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵，鎵的發(fā)現(xiàn)不僅是一個(gè)化學(xué)元素的發(fā)現(xiàn)，它的發(fā)現(xiàn)引起了科學(xué)家們對(duì)門捷列夫擬定的元素周期系的注重，使化學(xué)元素周期系得到贊揚(yáng)和供認(rèn)。硫酸鎵我國金屬鎵的消費(fèi)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性材料等，其中半導(dǎo)體行業(yè)已成為鎵最大的消費(fèi)領(lǐng)域，約占總消費(fèi)量的80%。遼寧高純硫酸鎵價(jià)格隨著鎵下游應(yīng)用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導(dǎo)體行業(yè)和太陽能電池行業(yè)，未來金屬鎵需求也將穩(wěn)步增長。