氧化鍺，具有半導體性質(zhì)。對固體物理和固體電子學的發(fā)展超過重要作用。硫酸銦鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質(zhì)穩(wěn)定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。興安盟硫酸銦鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質(zhì)，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。硫酸銦特別是在未來三大新興應用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。硫酸銦廠家這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領(lǐng)域的應用優(yōu)勢愈加明顯。硫酸銦但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。硫酸銦廠家氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進工作，以克服自身的不足。

銦是一種很軟的、帶藍色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。硫酸銦銦比鉛還軟，即使在液態(tài)氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。硫酸銦廠家銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害，但應避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物，其中主要為+3價的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導電漿，補牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動機的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。

在原子能工業(yè)中，鎵可以作為熱傳導物質(zhì)，將反應堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數(shù)目和反應速度的效果。硫酸銦碘化鎵應用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質(zhì)，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。興安盟硫酸銦鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產(chǎn)乙基苯、丙基苯和酮。硫酸銦而來自美國和丹麥科研人員開發(fā)的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉(zhuǎn)化氫和二氧化碳為甲醇。硫酸銦廠家為了提高石油開采的經(jīng)濟效益，包括中國在內(nèi)的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。