氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。氟化鋇氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。高純氟化鋇粉末其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氟化鋇由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氟化鋇粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。氟化鋇由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質，故在20世紀80年代以來，在許多高新技術和工業部門中獲得了較好的應用發展。高純氟化鋇粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。

銦是一種很軟的、帶藍色色調的有銀白色金屬光澤的金屬。氟化鋇銦比鉛還軟，即使在液態氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。氟化鋇粉末銦的揮發性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害，但應避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物，其中主要為+3價的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導電漿，補牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業中焊料、低熔合金、高性能發動機的軸承、低溫和真空領域作密封件等。

鎵也被應用到太陽能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉換率非常高。氟化鋇最初因為生產、使用成本都非常高，常常被應用在航天和軍工領域。但近幾年隨著科技的發展，金屬鎵太陽能電池的生產和使用成本都在降低，搭配上聚光光學組件從而使其應用領域開始擴大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽能電池是第三代太陽能電池，具有生產、安裝、使用成本低，光電轉換率高的優勢，因而在眾多太陽能電池產品中成為發展最快的一族。高純氟化鋇雖然世界上已投產或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產規模的擴大，該行業對金屬鎵的需求會有明顯增長。

氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產品之一。氟化鋇它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產中采用的生產方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經濟效果。氟化鋇粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發展前景十分廣闊。