鈧在合金中主要起著變質和細化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈現了性能優異的特色。氮化鎵Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄羅斯已達到17種Al-Sc系列，我國也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無法代替，故從發展上看，其應用發展及潛力是很大的，可望成為今后的應用大戶。伊春氮化鎵如俄羅斯已工業化生產，且用于輕型結構件發展較快，我國也正在加快研制和應用，特別是在宇航和航空方面前景最好。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強烈吸濕。氮化鎵將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結晶。56℃溶于自身的結晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應，三氯化銦以純品升華出來。高純氮化鎵廠家三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應制得。二者不穩定，遇水分解。所以根據以上所述氧化銦是無毒的。

三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶，相對密度8.9，熔點825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氮化鎵β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對密度8.55，熔點860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。高純氮化鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氮化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。伊春氮化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。