幾年來，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鈧這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。雙鴨山高純氧化鈧廠家到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯位。

氧化鈧的化學(xué)式為Sc2O3。性質(zhì)：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結(jié)構(gòu)。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。氧化鈧由鈧鹽熱分解制得?？捎米靼雽?dǎo)體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產(chǎn)品具有獨特的物化性質(zhì)，故在20世紀(jì)80年代以來，在許多高新技術(shù)和工業(yè)部門中獲得了較好的應(yīng)用發(fā)展。高純氧化鈧廠家目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領(lǐng)域的應(yīng)用狀況敘述于后。

使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應(yīng)即可得到硫酸鎵的水溶液。氧化鈧或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結(jié)晶。雙鴨山氧化鈧反應(yīng)中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發(fā)生溶解，應(yīng)注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當(dāng)加熱。

用途：用于制鍺，也用于電子工業(yè)。用作半導(dǎo)體材料。氧化鈧用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對苯二甲酸乙二酯樹脂時的催化劑以及光譜分析和半導(dǎo)體材料?？梢灾圃旃鈱W(xué)玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時轉(zhuǎn)化、去氫、汽油餾份的調(diào)整、彩色膠卷及聚脂纖維生產(chǎn)。氧化鈧廠家不但如此，二氧化鍺還是聚合反應(yīng)的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機和顯微鏡鏡頭，隨著技術(shù)的發(fā)展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫(yī)藥工業(yè)，PET樹脂、電子器件等。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。高純氧化鈧廠家真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學(xué)性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。氧化鈧但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細解釋。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。氧化鈧近年來大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。雙鴨山高純氧化鈧廠家氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。