使金屬鎵在室溫或加熱的條件下與硫酸反應即可得到硫酸鎵的水溶液。銦粉或者將新制得的氫氧化鎵Ga(OH)3沉淀溶于2mol/L的硫酸溶液中也可制得硫酸鎵的水溶液。將這種硫酸鎵水溶液在60～70℃的溫度下進行濃縮，將所得的濃溶液冷卻，向其中加入乙醇/乙醚混合物，即可制得十八水硫酸鎵Ga2(SO4)3·18H2O的八面體結晶。佳木斯銦粉反應中所用的氫氧化鎵沉淀可用向三價鎵鹽的水溶液加氨水制得。為了使生成的氫氧化鎵沉淀不致發生溶解，應注意不要使氨水加入過量。為了易于過濾，在沉定過程中可適當加熱。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。求購銦粉價格也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經常保持在氧化氣氛中。銦粉將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。

氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。銦粉易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。求購銦粉價格氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構，鎵原子為6配位。

真空鍍膜過程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統名稱。銦粉所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。銦粉價格化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。銦粉同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。佳木斯銦粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。銦粉鍺粉具有金屬鍺同樣優秀的光學性能和半導體性能。鍺粉按加工設備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達到亞納米粒徑。求購銦粉儲粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導體器件,如鍺二極管、品體三極管及復合晶體管、鍺半導體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應的傳感器,作光電導效應的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設備中。