氧化鈧的化學(xué)式為Sc2O3。性質(zhì)：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結(jié)構(gòu)。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。納米氧化鎵由鈧鹽熱分解制得。可用作半導(dǎo)體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產(chǎn)品具有獨特的物化性質(zhì)，故在20世紀(jì)80年代以來，在許多高新技術(shù)和工業(yè)部門中獲得了較好的應(yīng)用發(fā)展。哪里有納米氧化鎵粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領(lǐng)域的應(yīng)用狀況敘述于后。

目前，我國金屬鎵的消費領(lǐng)域包含半導(dǎo)體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性資料等，其中半導(dǎo)體行業(yè)已成為鎵最大的消費領(lǐng)域，約占總消費量的80%。納米氧化鎵隨著鎵下游應(yīng)用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導(dǎo)體和太陽能電池領(lǐng)域，未來對金屬鎵的需求也將穩(wěn)步增長。鎵的用途用來制作光學(xué)玻璃、真空管、半導(dǎo)體的原料。裝入石英溫度計可測量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應(yīng)用在裝飾和鑲牙方面。納米氧化鎵粉末也用來作有機合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點29.78℃。沸點2403℃。化合價2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。

幾年來，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。納米氧化鎵這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。遼寧哪里有納米氧化鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯位。

氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。納米氧化鎵但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。納米氧化鎵粉末氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進工作，以克服自身的不足。

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。納米氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有納米氧化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。