氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。氮化鎵而氧化銦顆粒尺寸達納米級別時除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應、量子尺寸效應、小尺寸效應和宏觀量子隧道效應等。高純氮化鎵分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應用于生產液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g。化學成分：（Q指企業標準）

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氮化鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氮化鎵粉末這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結晶，相對密度8.9，熔點825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氮化鎵β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對密度8.55，熔點860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質材料、光電材料、高溫超導材料、催化劑。高純氮化鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫藥、紅色玻璃配合劑等方面。

于從含鈧礦物中直接提取鈧制品較困難，因而目前主要從處理含鈧礦物的副產物如廢渣、廢水、煙塵、赤泥中回收和提取氧化鈧，再以高純氧化鈧制備金屬鈧、鈧鋁中間合金、鈧鹽等鈧產品。氮化鎵據新思界產業研究中心發布的《2019-2023年中國鈧產品行業市場供需現狀及發展趨勢預測報告 》。高純氮化鎵粉末目前從工業廢液中直接提取鈧的工藝主要有三種：溶劑萃取法、化學沉淀法、離子交換法。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氮化鎵這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。阿拉善盟高純氮化鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。