氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氧化鈧同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。陽泉氧化鈧β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應增加，市場對后市供應可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產生影響，造成鎵的價格難以維持平穩，鎵的進行價格調整期。氧化鈧需要指出的是，目前鎵的價格已經接近生產成本線，后續鎵的生產將進入虧本經營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進入煎熬的調整期。氧化鈧粉末下周鎵的市場預期仍不被看好，將穩中有降低。

純的Sc2O3可用作彩色電視顯象管陰極電子槍的氧化陰極激活劑,效果較好。氧化鈧在彩管陰極上端噴一層一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化層，上面再彌散一層0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化層陰極中因Mg、Sr與Ba發生反應，促使Ba還原,釋出的電子更活躍，發出大電流電子，使熒光體發光，比不用Sc2O3涂層的陰極可提高電流密度4倍，使電視畫面更清晰，使陰極壽命提高3倍。氧化鈧粉末每臺21英寸顯像陰極用Sc2O3量為0.1mg。目前在世界上一些國家已用此陰極，如日本用的較多，可提高市場競爭力，促進電視機的銷量。

生產工藝技術及設備經過多年來的研究和生產實踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術有下列幾種方法：①萃取法。氧化鈧生產中使用較多,其具有產量大、質量好、回收率高、成本低及生產中可連續作業的特點。②離子交換法。生產中也常被采用。其具有產量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產周期長的特點。③萃淋樹脂色層法。其具有生產周期短，純度高，收率高和成本低的特點。④液膜萃取法。求購氧化鈧它是膜分離與液液萃取相結合的一種新型分離技術。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氧化鈧六方結晶與β-石英同構，鍺為四配位，四方結晶具有超石英型結構，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉變為六配位結構;隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變為四配位的結構。類金紅石型結構的二氧化鍺在高壓下可轉變為另一種正交晶系氯化鈣型結構。求購氧化鈧二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結構的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。