氧化鍺，具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。氟化銦鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。朔州氟化銦鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。氟化銦濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。朔州氟化銦濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導體工業，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫藥工業。氟化銦鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。朔州氟化銦動物實驗給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發現肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經過調查半導體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業中毒。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。氟化銦我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。朔州氟化銦粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

在原子能工業中，鎵可以作為熱傳導物質，將反應堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數目和反應速度的效果。氟化銦碘化鎵應用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。朔州氟化銦鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。