在原子能工業中，鎵可以作為熱傳導物質，將反應堆中的熱量傳導出來。此外，鎵還可以吸收中子，從而達到控制中子數目和反應速度的效果。氧化鈧碘化鎵應用到高壓水銀燈鎵還可以用來制造陰極蒸汽燈。將碘化鎵加入到高壓水銀燈中，可以增大水銀燈的輻射強度。由于鎵具有“熱縮冷脹”性質，所以具有較好的鑄造性，可以用來制造鉛字合金，使字體清晰。陽泉氧化鈧鎵蒸汽壓很低，可以在真空裝置中做密封液。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。氧化鈧特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鈧價格這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

對于蒸發鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。氧化鈧厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。陽泉氧化鈧晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發速率

鉍具有一系列的優良特性，如比重大、熔點低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氧化鈧鉍廣泛應用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫藥等領域。高純氧化鈧從消費結構來看，各國鉍的消費結構各有側重，美國鉍的消費主要用于冶金添加劑、低熔點合金、焊料、彈藥筒以及醫藥化工行業等；日本和韓國的消費主要以電子行業為主；中國鉍消費仍舊是以傳統領域為主。