氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。金屬鉍粉氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。高純金屬鉍粉粉末其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業脊梁”的美譽。金屬鉍粉鎵的化合物是優質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發光二極管等。金屬鉍粉粉末例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發出的。目前，半導體行業金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強烈吸濕。金屬鉍粉將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結晶。56℃溶于自身的結晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應，三氯化銦以純品升華出來。高純金屬鉍粉粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應制得。二者不穩定，遇水分解。所以根據以上所述氧化銦是無毒的。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。金屬鉍粉近年來大量應用于光電行業等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。遼寧高純金屬鉍粉粉末氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。金屬鉍粉特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。金屬鉍粉粉末這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

氫氧化銦屬于銦的延伸產品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。遼寧金屬鉍粉用途：廣泛應用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。金屬鉍粉隨著電池無汞化的進程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業的發展趨勢。