氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產品之一。氧化鉍它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產中采用的生產方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經濟效果。氧化鉍廠家由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發展前景十分廣闊。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。氧化鉍氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。哪里有氧化鉍廠家其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鉍這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。陽泉哪里有氧化鉍廠家到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

氫氧化銦屬于銦的延伸產品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。陽泉氧化鉍用途：廣泛應用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。氧化鉍隨著電池無汞化的進程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業的發展趨勢。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。氧化鉍同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。陽泉氧化鉍β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。