對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。氧化銦濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之。阿拉善盟氧化銦濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現象。氧化銦一般金屬間構成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點很低，在30攝氏度就成為了液態，這種液態的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。氧化銦粉末所以鎵不能裝在金屬容器中。

金屬鉍粉主要用于制造易熔合金，熔點范圍是47～262℃，最常用的是鉍同鉛、錫、銻、銦等金屬組成的合金，用于消防裝置、自動噴水器、鍋爐的安全塞，一旦發生火災時，一些水管的活塞會“自動”熔化，噴出水來。氧化銦在消防和電氣工業上，用作自動滅火系統和電器保險絲、焊錫。鉍合金具有凝固時不收縮的特性，用于鑄造印刷鉛字和高精度鑄型。氧化銦粉末碳酸氧鉍和硝酸氧鉍用于治療皮膚損傷和腸胃病。用于制低熔合金，在消防和電氣安全裝置上有特殊的重要性，在分析化學中用于檢測Mn。鉍可制低熔點合金，用于自動關閉器或活字合金中。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化銦這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。阿拉善盟高純氧化銦粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數導致了外延過程中的錯位。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氧化銦由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氧化銦粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。