氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產品之一。金屬鈧粉它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產中采用的生產方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經濟效果。金屬鈧粉粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發(fā)展前景十分廣闊。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強烈吸濕。金屬鈧粉將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結晶。56℃溶于自身的結晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應，三氯化銦以純品升華出來。高純金屬鈧粉粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無毒的。

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。高純金屬鈧粉粉末真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。金屬鈧粉但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細解釋。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。金屬鈧粉含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。高純金屬鈧粉鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

鎵是一種低熔點高沸點的稀散金屬，有“電子工業(yè)脊梁”的美譽。金屬鈧粉鎵的化合物是優(yōu)質的半導體材料，被廣泛應用到光電子工業(yè)和微波通信工業(yè)，用于制造微波通訊與微波集成、紅外光學與紅外探測器件、集成電路、發(fā)光二極管等。金屬鈧粉粉末例如我們在電腦上看到的紅光和綠光就是由磷化鎵二極管發(fā)出的。目前，半導體行業(yè)金屬鎵消費量約占總消費量的80%—85%。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。金屬鈧粉這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。晉中高純金屬鈧粉粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導致了外延過程中的錯位。